Продукція > TOSHIBA > RN1102,LF(CT
RN1102,LF(CT

RN1102,LF(CT Toshiba

RN1101_datasheet_en_20210830-1150531.pdf Виробник: Toshiba
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 29363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+15.11 грн
32+ 9.7 грн
100+ 4.12 грн
1000+ 2.52 грн
3000+ 2.13 грн
9000+ 1.73 грн
45000+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 21
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1102,LF(CT Toshiba

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SSM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції RN1102,LF(CT за ціною від 2.44 грн до 16.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN1102,LF(CT RN1102,LF(CT Виробник : TOSHIBA 3621111.pdf Description: TOSHIBA - RN1102,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Verhältnis
на замовлення 52035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+16.84 грн
55+ 13.64 грн
108+ 6.91 грн
500+ 3.87 грн
1000+ 2.49 грн
5000+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 45
RN1102,LF(CT RN1102,LF(CT Виробник : TOSHIBA 3621111.pdf Description: TOSHIBA - RN1102,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Verhältnis
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-416
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 52035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+16.84 грн
55+ 13.64 грн
108+ 6.91 грн
500+ 3.87 грн
1000+ 2.49 грн
5000+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 45
RN1102,LF(CT RN1102,LF(CT Виробник : Toshiba 101docget.jsppidrn1104langentypedatasheet.jsppidrn1104langentypedata.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
товар відсутній
RN1102,LF(CT RN1102,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
RN1102,LF(CT RN1102,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній