Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1702,LF
RN1702,LF

RN1702,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER10KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1702,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER10KOH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: USV.

Інші пропозиції RN1702,LF за ціною від 3.47 грн до 24.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN1702,LF RN1702,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER10KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.41 грн
22+ 13.08 грн
100+ 6.39 грн
500+ 5 грн
1000+ 3.47 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN1702,LF RN1702,LF Виробник : Toshiba RN1702_datasheet_en_20191003-1627344.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 4354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.96 грн
16+ 19.92 грн
100+ 9.18 грн
500+ 6.07 грн
Мінімальне замовлення: 13