Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1711,LF
RN1711,LF

RN1711,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.4 грн
22+ 12.59 грн
100+ 6.14 грн
500+ 4.81 грн
1000+ 3.34 грн
Мінімальне замовлення: 15
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1711,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: USV.

Інші пропозиції RN1711,LF за ціною від 2.52 грн до 22.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN1711,LF RN1711,LF Виробник : Toshiba RN1711_datasheet_en_20140301-1627354.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 8899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.55 грн
17+ 18.03 грн
100+ 8.3 грн
500+ 5.51 грн
1000+ 3.72 грн
3000+ 2.86 грн
9000+ 2.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
RN1711,LF RN1711,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
товар відсутній