Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2907,LF(CT
RN2907,LF(CT

RN2907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

RN2907_datasheet_en_20211223.pdf?did=18909&prodName=RN2907 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: US6.

Інші пропозиції RN2907,LF(CT за ціною від 1.98 грн до 19.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN2907,LF(CT RN2907,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2907_datasheet_en_20211223.pdf?did=18909&prodName=RN2907 Description: PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 4819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+17.15 грн
25+ 11.35 грн
100+ 5.55 грн
500+ 4.35 грн
1000+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 17
RN2907,LF(CT RN2907,LF(CT Виробник : Toshiba RN2907_datasheet_en_20211223-1627370.pdf Digital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.34 грн
24+ 12.84 грн
100+ 4.62 грн
1000+ 3.17 грн
3000+ 2.51 грн
9000+ 2.11 грн
24000+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN2907,LF(CT Виробник : Toshiba rn2909_datasheet_en_20191115.pdf Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
товар відсутній