Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3E180BNTB1
RQ3E180BNTB1

RQ3E180BNTB1 ROHM Semiconductor

datasheet?p=RQ3E180BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET MOSFET
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.35 грн
10+ 96.25 грн
100+ 65.5 грн
500+ 55.33 грн
1000+ 50.62 грн
3000+ 42.98 грн
9000+ 39.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3E180BNTB1 ROHM Semiconductor

Description: NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RQ3E180BNTB1 за ціною від 41.79 грн до 130.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RQ3E180BNTB1 RQ3E180BNTB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E180BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.78 грн
10+ 79.5 грн
100+ 58.85 грн
500+ 50.75 грн
1000+ 41.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
RQ3E180BNTB1 RQ3E180BNTB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E180BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товар відсутній