на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.35 грн |
| 10+ | 68.22 грн |
| 100+ | 48.16 грн |
| 500+ | 41.38 грн |
| 1000+ | 33.74 грн |
| 3000+ | 31.35 грн |
| 6000+ | 30.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ3G150GNTB ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 39A; Idm: 60A; 20W; HSMT8, Power dissipation: 20W, Case: HSMT8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 60A, Gate charge: 24.1nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 39A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 40V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 8.9mΩ, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції RQ3G150GNTB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ3G150GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT |
на замовлення 1402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RQ3G150GNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 39A; Idm: 60A; 20W; HSMT8 Power dissipation: 20W Case: HSMT8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 60A Gate charge: 24.1nC Polarisation: unipolar Drain current: 39A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.9mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
|
|
RQ3G150GNTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT |
товар відсутній |
|
| RQ3G150GNTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 39A; Idm: 60A; 20W; HSMT8 Power dissipation: 20W Case: HSMT8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 60A Gate charge: 24.1nC Polarisation: unipolar Drain current: 39A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.9mΩ |
товар відсутній |