RQ5C060BCTCL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.29 грн |
| 6000+ | 17.6 грн |
| 9000+ | 16.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ5C060BCTCL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RQ5C060BCTCL за ціною від 15.6 грн до 60.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ5C060BCTCL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ5C060BCTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0161 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm |
на замовлення 6569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RQ5C060BCTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 2951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RQ5C060BCTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V |
на замовлення 9534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RQ5C060BCTCL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -20V -6A Si MOSFET |
на замовлення 15815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RQ5C060BCTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RQ5C060BCTCL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ5C060BCTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0161 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm |
на замовлення 6569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RQ5C060BCTCL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 1W; TSMT3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Pulsed drain current: -18A Power dissipation: 1W Case: TSMT3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RQ5C060BCTCL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 1W; TSMT3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Pulsed drain current: -18A Power dissipation: 1W Case: TSMT3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |