RQ5H020TNTL ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM SemiconductorMOSFET RQ5H020TN is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.
на замовлення 16548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.39 грн |
| 10+ | 49.5 грн |
| 100+ | 34.47 грн |
| 500+ | 29.69 грн |
| 1000+ | 24.25 грн |
| 3000+ | 22.78 грн |
| 6000+ | 21.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ5H020TNTL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RQ5H020TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RQ5H020TNTL за ціною від 37.91 грн до 72.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ5H020TNTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3 |
на замовлення 811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RQ5H020TNTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ5H020TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| RQ5H020TNTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RQ5H020TNTL SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
RQ5H020TNTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3 |
товар відсутній |