Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS6G100BGTB1
RS6G100BGTB1

RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor

datasheet?p=RS6G100BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET RS6G100BG is a power MOSFET with low-on resistance and High power small mold package, suitable for switching.
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.42 грн
10+ 106.95 грн
100+ 73.73 грн
250+ 67.75 грн
500+ 61.44 грн
1000+ 55.73 грн
2500+ 48.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor

Description: NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 20 V.

Інші пропозиції RS6G100BGTB1 за ціною від 59.62 грн до 134.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RS6G100BGTB1 RS6G100BGTB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RS6G100BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 20 V
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.37 грн
10+ 116.11 грн
100+ 93.31 грн
500+ 71.95 грн
1000+ 59.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
RS6G100BGTB1 RS6G100BGTB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RS6G100BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 20 V
товар відсутній