Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS6G120BGTB1
RS6G120BGTB1

RS6G120BGTB1 Rohm Semiconductor

rs6g120bgtb1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+230.65 грн
10+ 186.75 грн
100+ 151.11 грн
500+ 126.06 грн
1000+ 107.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS6G120BGTB1 Rohm Semiconductor

Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V.

Інші пропозиції RS6G120BGTB1 за ціною від 121.56 грн до 247.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RS6G120BGTB1 RS6G120BGTB1 Виробник : ROHM Semiconductor rs6g120bgtb1-e.pdf MOSFET 40V MOSFET
на замовлення 7132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+247.99 грн
10+ 205.49 грн
25+ 168.72 грн
100+ 144.81 грн
250+ 136.84 грн
500+ 128.2 грн
1000+ 121.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
RS6G120BGTB1 RS6G120BGTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs6g120bgtb1-e.pdf Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
товар відсутній