Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS6N120BHTB1
RS6N120BHTB1

RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor

rs6n120bhtb1_e-3168752.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET: RS6N120BH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.
на замовлення 9835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+203.82 грн
10+ 167.29 грн
100+ 115.58 грн
250+ 106.95 грн
500+ 97.65 грн
2500+ 83.03 грн
5000+ 81.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor

Description: NCH 80V 135A, HSOP8, POWER MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Ta), 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 6V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V.

Інші пропозиції RS6N120BHTB1 за ціною від 94.72 грн до 213.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RS6N120BHTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs6n120bhtb1-e.pdf Description: NCH 80V 135A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 6V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.41 грн
10+ 184.47 грн
100+ 148.26 грн
500+ 114.31 грн
1000+ 94.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
RS6N120BHTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs6n120bhtb1-e.pdf Description: NCH 80V 135A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 6V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V
товар відсутній