Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSH090N03TB1
RSH090N03TB1

RSH090N03TB1 Rohm Semiconductor

RSH090N03.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 10 V
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.95 грн
10+ 50.37 грн
100+ 39.16 грн
500+ 31.15 грн
1000+ 25.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSH090N03TB1 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 9A SOP8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): 20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RSH090N03TB1 за ціною від 26.57 грн до 78.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RSH090N03TB1 RSH090N03TB1 Виробник : ROHM Semiconductor RSH090N03.pdf MOSFET Nch 30V 9A MOSFET
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.27 грн
10+ 63.48 грн
100+ 42.98 грн
500+ 36.47 грн
1000+ 29.69 грн
2500+ 27.9 грн
5000+ 26.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
RSH090N03TB1 RSH090N03.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RSH090N03TB1 RSH090N03TB1 Виробник : Rohm Semiconductor RSH090N03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 10 V
товар відсутній