Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSJ151P10TL
RSJ151P10TL

RSJ151P10TL Rohm Semiconductor

rsj151p10-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+43.75 грн
2000+ 39.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSJ151P10TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: LPTS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RSJ151P10TL за ціною від 36.52 грн до 108.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RSJ151P10TL RSJ151P10TL Виробник : ROHM ROHM-S-A0003834473-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+63.96 грн
500+ 49.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
RSJ151P10TL RSJ151P10TL Виробник : Rohm Semiconductor rsj151p10-e.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
161+72.94 грн
171+ 68.75 грн
196+ 59.78 грн
206+ 54.91 грн
500+ 50.76 грн
Мінімальне замовлення: 161
RSJ151P10TL RSJ151P10TL Виробник : Rohm Semiconductor rsj151p10-e.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 3072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.66 грн
10+ 78.44 грн
100+ 61.02 грн
500+ 48.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
RSJ151P10TL RSJ151P10TL Виробник : Rohm Semiconductor rsj151p10-e.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
117+100.15 грн
123+ 95.66 грн
250+ 91.83 грн
500+ 85.35 грн
Мінімальне замовлення: 117
RSJ151P10TL RSJ151P10TL Виробник : ROHM ROHM-S-A0003834473-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+106.35 грн
10+ 85.38 грн
100+ 63.96 грн
500+ 49.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
RSJ151P10TL RSJ151P10TL Виробник : ROHM Semiconductor rsj151p10-e.pdf MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.26 грн
10+ 87.52 грн
100+ 59.02 грн
500+ 50.07 грн
1000+ 40.72 грн
2000+ 38.32 грн
5000+ 36.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
RSJ151P10TL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsj151p10-e.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; Idm: -30A; 50W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RSJ151P10TL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsj151p10-e.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; Idm: -30A; 50W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній