RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 57.24 грн |
| 2000+ | 52.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: LPTS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RSJ250P10FRATL за ціною від 50.65 грн до 146.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSJ250P10FRATL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSJ250P10FRATL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263 Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A On-state resistance: 63mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 60nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: TO263 |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSJ250P10FRATL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263 Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A On-state resistance: 63mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 60nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: TO263 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 352 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSJ250P10FRATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSJ250P10FRATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSJ250P10FRATL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -100V Vds -25A 0.05Rds(on) 60Qg |
на замовлення 2316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSJ250P10FRATL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RSJ250P10FRATL | Виробник : ROHM - Japan |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 25A; 45mOhm; 50W; -55°C~150°C; RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor TRSJ250p10fratl кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| RSJ250P10FRATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
товар відсутній |