RSJ250P10TL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -999°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 122.95 грн |
| 500+ | 107.25 грн |
| 1000+ | 86.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSJ250P10TL ROHM
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: LPTS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RSJ250P10TL за ціною від 62.87 грн до 216.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSJ250P10TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 4030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RSJ250P10TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 6987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RSJ250P10TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RSJ250P10TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE |
на замовлення 6989 шт: термін постачання 168-177 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RSJ250P10TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: -999°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
на замовлення 2178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| RSJ250P10TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 60nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
|
|
RSJ250P10TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| RSJ250P10TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 60nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: D2PAK |
товар відсутній |