Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSQ025P03HZGTR
RSQ025P03HZGTR

RSQ025P03HZGTR Rohm Semiconductor

rsq025p03hzgtr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.71 грн
10+ 39.44 грн
100+ 27.3 грн
500+ 21.4 грн
1000+ 18.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSQ025P03HZGTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RSQ025P03HZGTR за ціною від 15.34 грн до 49.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RSQ025P03HZGTR RSQ025P03HZGTR Виробник : ROHM Semiconductor rsq025p03hzgtr-e.pdf MOSFET Pch -30V -2.5A Small Signal MOSFET - RSQ025P03HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.75 грн
10+ 41.02 грн
100+ 25.71 грн
500+ 21.52 грн
1000+ 18.27 грн
3000+ 16.27 грн
6000+ 15.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
RSQ025P03HZGTR RSQ025P03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq025p03hzgtr-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V
товар відсутній