RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.14 грн |
| 6000+ | 2.8 грн |
| 9000+ | 2.32 грн |
| 30000+ | 2.14 грн |
| 75000+ | 1.92 грн |
| 150000+ | 1.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323FL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RU1C002ZPTCL за ціною від 1.98 грн до 20.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RU1C002ZPTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R |
на замовлення 222650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RU1C002ZPTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R |
на замовлення 9062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RU1C002ZPTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RU1C002ZPTCL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RU1C002ZPTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V |
на замовлення 160373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RU1C002ZPTCL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch |
на замовлення 255588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RU1C002ZPTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RU1C002ZPTCL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -200mA; Idm: -0.8A; 150mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.2A Pulsed drain current: -0.8A Power dissipation: 0.15W Case: SOT323F Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 9.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RU1C002ZPTCL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -200mA; Idm: -0.8A; 150mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.2A Pulsed drain current: -0.8A Power dissipation: 0.15W Case: SOT323F Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 9.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |