RUF015N02TL ROHM Semiconductor
на замовлення 13629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.17 грн |
| 11+ | 28.72 грн |
| 100+ | 17.34 грн |
| 500+ | 13.62 грн |
| 1000+ | 11.03 грн |
| 3000+ | 9.17 грн |
| 9000+ | 8.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RUF015N02TL ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A; 800mW; TUMT3, Mounting: SMD, Case: TUMT3, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 0.8W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 1.8nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: 3A, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 1.5A, On-state resistance: 0.31Ω, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції RUF015N02TL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RUF015N02TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 |
на замовлення 3565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
RUF015N02TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RUF015N02TL |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| RUF015N02TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A; 800mW; TUMT3 Mounting: SMD Case: TUMT3 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 1.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 3A Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.31Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||
| RUF015N02TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A; 800mW; TUMT3 Mounting: SMD Case: TUMT3 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 1.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 3A Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.31Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |