Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RXH100N03TB1
RXH100N03TB1

RXH100N03TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RXH100N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.69 грн
10+ 77.35 грн
100+ 60.18 грн
500+ 47.88 грн
1000+ 39 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RXH100N03TB1 Rohm Semiconductor

Description: 4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RXH100N03TB1 за ціною від 35.96 грн до 106.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RXH100N03TB1 RXH100N03TB1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RXH100N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET MOSFET
на замовлення 3881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.44 грн
10+ 86.54 грн
100+ 58.2 грн
500+ 49.35 грн
1000+ 43.35 грн
2500+ 36.83 грн
5000+ 35.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
RXH100N03TB1 RXH100N03TB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RXH100N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
товар відсутній