S2M0016120D

S2M0016120D SMC DIODE SOLUTIONS


S2M0016120D.pdf Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Mounting: THT
Case: TO247AD
Power dissipation: 714W
Technology: SiC
Kind of package: tube
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 314A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1944.87 грн
2+ 1707.7 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S2M0016120D SMC DIODE SOLUTIONS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W, Mounting: THT, Case: TO247AD, Power dissipation: 714W, Technology: SiC, Kind of package: tube, Gate charge: 224nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: -5...20V, Pulsed drain current: 314A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 140A, On-state resistance: 16mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції S2M0016120D за ціною від 1972.02 грн до 2333.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
S2M0016120D S2M0016120D Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS S2M0016120D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Mounting: THT
Case: TO247AD
Power dissipation: 714W
Technology: SiC
Kind of package: tube
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 314A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2333.85 грн
2+ 2128.05 грн
300+ 1972.02 грн