S2M0016120D SMC DIODE SOLUTIONS
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Mounting: THT
Case: TO247AD
Power dissipation: 714W
Technology: SiC
Kind of package: tube
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 314A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Mounting: THT
Case: TO247AD
Power dissipation: 714W
Technology: SiC
Kind of package: tube
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 314A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1944.87 грн |
2+ | 1707.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S2M0016120D SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W, Mounting: THT, Case: TO247AD, Power dissipation: 714W, Technology: SiC, Kind of package: tube, Gate charge: 224nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: -5...20V, Pulsed drain current: 314A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 140A, On-state resistance: 16mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції S2M0016120D за ціною від 1972.02 грн до 2333.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S2M0016120D | Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W Mounting: THT Case: TO247AD Power dissipation: 714W Technology: SiC Kind of package: tube Gate charge: 224nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 314A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 140A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|