S80KS2564GACHV040 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 49FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 49-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 49-FBGA (8x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 49FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 49-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 49-FBGA (8x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 497.95 грн |
10+ | 441.59 грн |
25+ | 432.38 грн |
40+ | 404.39 грн |
80+ | 362.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S80KS2564GACHV040 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S80KS2564GACHV040 - DRAM, DDR, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 49 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: DDR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 49Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції S80KS2564GACHV040 за ціною від 322.17 грн до 1393.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S80KS2564GACHV040 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS2564GACHV040 - DRAM, DDR, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 49 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 49Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
S80KS2564GACHV040 | Виробник : Infineon Technologies | DRAM HyperRAM |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
S80KS2564GACHV040 | Виробник : Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
S80KS2564GACHV040 | Виробник : Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
S80KS2564GACHV040 | Виробник : Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
S80KS2564GACHV040 | Виробник : Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray |
товар відсутній |