SBC847CWT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC847CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - SBC847CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 5.05 грн |
3000+ | 3.64 грн |
9000+ | 3.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SBC847CWT1G ONSEMI
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 150 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SBC847CWT1G за ціною від 1.79 грн до 29.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SBC847CWT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SBC847CWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBC847CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 10550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SBC847CWT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V |
на замовлення 25595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SBC847CWT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SBC847CWT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 270...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SBC847CWT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SBC847CWT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SBC847CWT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 270...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry |
товар відсутній |