SBC856BDW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 113000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.16 грн |
| 9000+ | 3.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SBC856BDW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - SBC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 380mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Verlustleistung, NPN: -W, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A.
Інші пропозиції SBC856BDW1T1G за ціною від 3.79 грн до 31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SBC856BDW1T1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88/SC70-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SBC856BDW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88/SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SBC856BDW1T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS SC-88 GP XSTR PNP 65V |
на замовлення 11049 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SBC856BDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: -MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 380mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Verlustleistung, NPN: -W productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SBC856BDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: -MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 380mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Verlustleistung, NPN: -W productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SBC856BDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SBC856BDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry |
товар відсутній |