SBCP53-16T1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBCP53-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - SBCP53-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 18.11 грн |
500+ | 13.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SBCP53-16T1G ONSEMI
Description: ONSEMI - SBCP53-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCP53, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SBCP53-16T1G за ціною від 6.24 грн до 124.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SBCP53-16T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SBCP53-16T1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 80V |
на замовлення 16547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SBCP53-16T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBCP53-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCP53 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SBCP53-16T1G | Виробник : ON Semiconductor | Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,5; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 50; hFE = 100 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-223 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SBCP53-16T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SBCP53-16T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SBCP53-16T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SBCP53-16T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz Application: automotive industry |
товар відсутній |