SBR835LT4G ON Semiconductor
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SBR835LT4G ON Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V.
Інші пропозиції SBR835LT4G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SBR835LT4G | Виробник : onsemi |
 Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V |
товар відсутній |