SCS215AEGC11 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SCS215AEGC11 - SiC-Schottky-Diode, SCS21, Einfach, 650 V, 15 A, 23 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 338.59 грн |
| 5+ | 302.83 грн |
| 10+ | 266.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS215AEGC11 ROHM
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V.
Інші пропозиції SCS215AEGC11 за ціною від 243.25 грн до 538.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS215AEGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCS215AEGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCS215AEGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCS215AEGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers DIODE 650 THD, SILICON |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|