Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT10N120
SCT10N120

SCT10N120 STMicroelectronics

sct10n120.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 400 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+517.35 грн
10+ 427.13 грн
100+ 355.96 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT10N120 STMicroelectronics

Description: SICFET N-CH 1200V 12A HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: HiP247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 400 V.

Інші пропозиції SCT10N120 за ціною від 381.95 грн до 801.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SCT10N120 SCT10N120 Виробник : STMicroelectronics sct10n120-1509688.pdf MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 696-705 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+785.82 грн
10+ 663.83 грн
100+ 480.92 грн
600+ 424.46 грн
1200+ 381.95 грн
SCT10N120 SCT10N120 Виробник : STMICROELECTRONICS 2815805.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT10N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+801.79 грн
5+ 725.04 грн
10+ 647.55 грн
50+ 551.47 грн
100+ 462.43 грн
250+ 453.48 грн
SCT10N120 SCT10N120 Виробник : STMicroelectronics 2701826117697783a3.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
товар відсутній
SCT10N120 SCT10N120 Виробник : STMicroelectronics 2701826117697783a3.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
товар відсутній
SCT10N120 Виробник : STMicroelectronics 2701826117697783a3.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
товар відсутній
SCT10N120 Виробник : STMicroelectronics sct10n120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SCT10N120 Виробник : STMicroelectronics sct10n120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній