SCT20N120 STMicroelectronics
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 693.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT20N120 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT20N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).
Інші пропозиції SCT20N120 за ціною від 606.77 грн до 1088.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCT20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT20N120 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT20N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 175W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCT20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET |
на замовлення 577 шт: термін постачання 308-317 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCT20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SCT20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SCT20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: HiP247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SCT20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SCT20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
SCT20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; SiCFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 175W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SCT20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; SiCFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 175W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube |
товар відсутній |