SCTW35N65G2V STMicroelectronics
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 719.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTW35N65G2V STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 650V 45A HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: HiP247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCTW35N65G2V за ціною від 662.94 грн до 905.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
 MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 45 A |
на замовлення 1094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCTW35N65G2V | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SCTW35N65G2V Код товару: 184678 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
| SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W; HIP247™ Mounting: THT Drain current: 45A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: HIP247™ On-state resistance: 68mΩ Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 240W Gate charge: 73nC Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Description: SICFET N-CH 650V 45A HIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: HiP247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W; HIP247™ Mounting: THT Drain current: 45A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: HIP247™ On-state resistance: 68mΩ Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 240W Gate charge: 73nC Polarisation: unipolar |
товар відсутній |