SCTW35N65G2VAG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 863.78 грн |
| 10+ | 836.85 грн |
| 25+ | 713.01 грн |
| 50+ | 710.34 грн |
| 600+ | 709.67 грн |
| 3000+ | 670.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTW35N65G2VAG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW35N65G2VAG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 240W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Інші пропозиції SCTW35N65G2VAG за ціною від 728.17 грн до 1195.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTW35N65G2VAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SCTW35N65G2VAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCTW35N65G2VAG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW35N65G2VAG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 240W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SCTW35N65G2VAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SCTW35N65G2VAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SCTW35N65G2VAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SCTW35N65G2VAG | Виробник : STMicroelectronics |
SCTW35N65G2VAG THT N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SCTW35N65G2VAG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: SICFET N-CH 650V 45A HIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: HiP247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |