на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 963.48 грн |
| 10+ | 933.59 грн |
| 25+ | 749.73 грн |
| 50+ | 745.06 грн |
| 100+ | 719.69 грн |
| 250+ | 699.66 грн |
| 600+ | 698.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTWA35N65G2V STMicroelectronics
Description: TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 400 V.
Інші пропозиції SCTWA35N65G2V за ціною від 724.87 грн до 1161.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTWA35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCTWA35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCTWA35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 400 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SCTWA35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SCTWA35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SCTWA35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
SCTWA35N65G2V THT N channel transistors |
товар відсутній |