Продукція > SEMIKRON DANFOSS > SEMIX256GD12M7P 27896130

SEMIX256GD12M7P 27896130 SEMIKRON DANFOSS


Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Case: SEMiX® 6p
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SEMIX256GD12M7P 27896130 SEMIKRON DANFOSS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics, Electrical mounting: Press-Fit, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor, Case: SEMiX® 6p, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SEMIX256GD12M7P 27896130

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SEMIX256GD12M7P 27896130 Виробник : SEMIKRON DANFOSS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Case: SEMiX® 6p
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
товар відсутній