SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 34.94 грн |
| 5000+ | 31.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 9/-8.5A; Idm: 18A; 3W, Type of transistor: N/P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30/-30V, Drain current: 9/-8.5A, Pulsed drain current: 18A, Power dissipation: 3W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 32.5/41.3mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 15.5/19.6nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced.
Інші пропозиції SH8MA4TB1 за ціною від 28.43 грн до 84.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SH8MA4TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A |
на замовлення 8960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SH8MA4TB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET SH8MA4TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching. |
на замовлення 4534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SH8MA4TB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 9/-8.5A; Idm: 18A; 3W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 9/-8.5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32.5/41.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.5/19.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SH8MA4TB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 9/-8.5A; Idm: 18A; 3W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 9/-8.5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32.5/41.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.5/19.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |