Продукція > ROHM > SH8MC5TB1
SH8MC5TB1

SH8MC5TB1 ROHM

datasheet?p=SH8MC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+108.05 грн
10+ 81.97 грн
100+ 60.21 грн
500+ 48.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8MC5TB1 ROHM

Description: ROHM - SH8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SH8MC5TB1 за ціною від 48.69 грн до 129.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SH8MC5TB1 SH8MC5TB1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8MC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 60V 6.5A-7.0A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 18158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.22 грн
10+ 101.6 грн
100+ 70.41 грн
250+ 67.09 грн
500+ 58.65 грн
1000+ 50.22 грн
2500+ 48.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8MC5TB1 SH8MC5TB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8MC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 60V 6.5A/7.0A DUAL NCH+PCH, SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V, 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.34 грн
10+ 111.75 грн
100+ 89.83 грн
500+ 69.26 грн
1000+ 57.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8MC5TB1 SH8MC5TB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8MC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 60V 6.5A/7.0A DUAL NCH+PCH, SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V, 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товар відсутній