на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1317DL-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1317DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.125 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SI1317DL-T1-GE3 за ціною від 6.73 грн до 36.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1317DL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI1317DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.125 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 33885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI1317DL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A; 0.3W; SC70 Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.4A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -6A Mounting: SMD Case: SC70 |
на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI1317DL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC70-3 |
на замовлення 115125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI1317DL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A; 0.3W; SC70 Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.4A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -6A Mounting: SMD Case: SC70 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2998 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI1317DL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1317DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.125 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 33885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI1317DL-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
SI1317DL-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
SI1317DL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
SI1317DL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V |
товар відсутній |