SI2301A-TP Micro Commercial Components
на замовлення 3000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12000+ | 6.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2301A-TP Micro Commercial Components
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 6 V.
Інші пропозиції SI2301A-TP за ціною від 6.41 грн до 34.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2301A-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
 Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2301A-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2301A-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2301A-TP | Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2301A-TP | Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1764 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2301A-TP | Виробник : Micro Commercial Components (MCC) |
MOSFET P-Ch -20Vds -2.8A 8Vgs -10A 1.0W |
на замовлення 17261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2301A-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SI2301A-TP | Виробник : Micro Commercial Co |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 6 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SI2301A-TP | Виробник : Micro Commercial Co |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 6 V |
товар відсутній |