Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2301CDS-T1-BE3
SI2301CDS-T1-BE3

SI2301CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2301cd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2301CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI2301CDS-T1-BE3 за ціною від 6.67 грн до 38.4 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.95 грн
6000+ 10.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2301cd.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 5242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.28 грн
15+ 18.85 грн
100+ 11.29 грн
500+ 9.81 грн
1000+ 6.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2301cd.pdf MOSFET P-CHANNEL 20-V (D-S)
на замовлення 170569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.4 грн
11+ 30.48 грн
100+ 18.09 грн
1000+ 10.35 грн
3000+ 8.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2301CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній