Продукція > VISHAY > SI2301CDS-T1-GE3
SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3 Vishay

si2301cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 957000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2301CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.142 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 860mW, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SI2301CDS-T1-GE3 за ціною від 4.91 грн до 29.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 957000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2301cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 171643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.8 грн
6000+ 6.27 грн
9000+ 5.65 грн
30000+ 5.22 грн
75000+ 4.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2049129.pdf Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.142 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.69 грн
9000+ 8.54 грн
24000+ 8.31 грн
45000+ 7.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.14 грн
9000+ 8.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.85 грн
9000+ 9.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2301cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+11.08 грн
39+ 9.04 грн
100+ 8.14 грн
111+ 7.23 грн
306+ 6.84 грн
3000+ 6.75 грн
Мінімальне замовлення: 34
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 558000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.16 грн
126000+ 10.2 грн
252000+ 9.49 грн
378000+ 8.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2301cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7357 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+13.3 грн
25+ 11.27 грн
100+ 9.76 грн
111+ 8.68 грн
306+ 8.2 грн
3000+ 8.09 грн
Мінімальне замовлення: 21
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 277975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+19.47 грн
500+ 11.06 грн
1500+ 10.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2301cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 171643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.28 грн
15+ 18.85 грн
100+ 11.29 грн
500+ 9.81 грн
1000+ 6.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2301cd.pdf MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 175520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.79 грн
15+ 20.65 грн
100+ 10.82 грн
500+ 10.01 грн
1000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 277975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+29.28 грн
50+ 24.41 грн
100+ 19.47 грн
500+ 11.06 грн
1500+ 10.01 грн
Мінімальне замовлення: 26
SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf P-MOSFET 20V 2.3A SI2301CDS SOT23 VISHAY TSI2301cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2301CDS-T1-GE3
Код товару: 155778 		si2301cd.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній