SI2302CDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.25 грн |
| 6000+ | 6.69 грн |
| 9000+ | 6.02 грн |
| 30000+ | 5.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2302CDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI2302CDS-T1-E3 за ціною від 7.11 грн до 27.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2302CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2302CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2302CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2302CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2302CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2302CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V |
на замовлення 62846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2302CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 489396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2302CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
SI2302CDS-T1-E3 Код товару: 181529 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
| SI2302CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |