Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2319DS-T1-BE3
SI2319DS-T1-BE3

SI2319DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2319ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.49 грн
6000+ 15.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2319DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI2319DS-T1-BE3 за ціною від 16.56 грн до 52.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2319DS-T1-BE3 SI2319DS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2319ds.pdf Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
на замовлення 7598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.22 грн
10+ 38.39 грн
100+ 26.59 грн
500+ 20.85 грн
1000+ 17.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2319DS-T1-BE3 SI2319DS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2319ds.pdf MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S)
на замовлення 57995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.19 грн
10+ 45.22 грн
100+ 26.84 грн
500+ 22.43 грн
1000+ 19.49 грн
3000+ 16.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-BE3 SI2319DS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній