Продукція > VISHAY > SI2319DS-T1-E3
SI2319DS-T1-E3

SI2319DS-T1-E3 Vishay

si2319ds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2319DS-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.065 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SI2319DS-T1-E3 за ціною від 14.36 грн до 78.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2319ds.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.29 грн
6000+ 16.69 грн
9000+ 15.45 грн
30000+ 14.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.065 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 76034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+30.38 грн
500+ 23.6 грн
1000+ 19.82 грн
5000+ 17.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
250+46.95 грн
252+ 46.48 грн
Мінімальне замовлення: 250
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2319ds.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
на замовлення 45579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+47.87 грн
10+ 40.18 грн
100+ 27.82 грн
500+ 21.81 грн
1000+ 18.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+48.92 грн
14+ 43.59 грн
25+ 43.16 грн
100+ 25.11 грн
250+ 16.5 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2319ds.pdf MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
на замовлення 217488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.63 грн
10+ 44.06 грн
100+ 26.55 грн
500+ 22.19 грн
1000+ 18.89 грн
3000+ 16.78 грн
6000+ 16.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.065 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 76034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+57.87 грн
16+ 48.16 грн
100+ 30.38 грн
500+ 23.6 грн
1000+ 19.82 грн
5000+ 17.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+65.2 грн
10+ 35.36 грн
25+ 31.92 грн
33+ 24.41 грн
90+ 23.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.25 грн
6+ 44.07 грн
25+ 38.31 грн
33+ 29.29 грн
90+ 27.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Виробник : Vishay 72315.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній