SI2319DS-T1-GE3

SI2319DS-T1-GE3 Vishay Siliconix


si2319ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.04 грн
6000+ 16.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2319DS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI2319DS-T1-GE3 за ціною від 16.12 грн до 55.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2319ds.pdf MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V
на замовлення 643544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43 грн
10+ 37.75 грн
100+ 25.03 грн
500+ 21.6 грн
1000+ 18.89 грн
3000+ 16.98 грн
6000+ 16.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+45.94 грн
10+ 35.92 грн
25+ 28.07 грн
38+ 21.47 грн
102+ 20.3 грн
1000+ 20.02 грн
3000+ 19.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2319ds.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
на замовлення 6959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.16 грн
10+ 39.63 грн
100+ 27.43 грн
500+ 21.51 грн
1000+ 18.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+55.13 грн
10+ 44.76 грн
25+ 33.69 грн
38+ 25.76 грн
102+ 24.36 грн
1000+ 24.03 грн
3000+ 23.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Виробник : Vishay 72315.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній