SI3134KEA-TP

SI3134KEA-TP Micro Commercial Co


SI3134KEA(SOT-523).pdf Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 180mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 16 V
на замовлення 2126 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.9 грн
13+ 22.07 грн
100+ 12.5 грн
500+ 7.77 грн
1000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3134KEA-TP Micro Commercial Co

Description: N-CHANNEL MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 180mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 16 V.

Інші пропозиції SI3134KEA-TP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3134KEA-TP Виробник : Micro Commercial Components si3134keasot-523.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-523 T/R
товар відсутній
SI3134KEA-TP SI3134KEA-TP Виробник : Micro Commercial Co SI3134KEA(SOT-523).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 180mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 16 V
товар відсутній