SI3585CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 11515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.86 грн |
| 6000+ | 10.84 грн |
| 9000+ | 10.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3585CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI3585CDV-T1-GE3 за ціною від 9.82 грн до 59.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A; 0.9/8W Mounting: SMD Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 3.1/-1.7A On-state resistance: 78/316mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.9/8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 4.8/9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Case: TSOP6 |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR |
на замовлення 96979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 8514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W, 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 2.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active |
на замовлення 11515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A; 0.9/8W Mounting: SMD Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 3.1/-1.7A On-state resistance: 78/316mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.9/8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 4.8/9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Case: TSOP6 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 8514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|