на замовлення 71105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69.65 грн |
| 10+ | 51.75 грн |
| 100+ | 38.1 грн |
| 500+ | 32.37 грн |
| 1000+ | 26.36 грн |
| 3000+ | 24.71 грн |
| 6000+ | 23.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si3900DV-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 8A, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 2.4A, On-state resistance: 0.2Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.15W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 4nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 8A, Mounting: SMD, Case: TSOP6, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції Si3900DV-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
Si3900DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
на замовлення 5324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
Si3900DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| Si3900DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 8A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.15W Polarisation: unipolar Gate charge: 4nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 8A Mounting: SMD Case: TSOP6 кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
| Si3900DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 8A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.15W Polarisation: unipolar Gate charge: 4nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 8A Mounting: SMD Case: TSOP6 |
товар відсутній |