SI4101DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 21.74 грн |
| 5000+ | 19.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4101DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI4101DY-T1-GE3 за ціною від 18.8 грн до 71.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4101DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 6W productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 13748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4101DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V |
на замовлення 12305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI4101DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 97050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI4101DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4101DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4101DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 13748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| SI4101DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI4101DY-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
 |
SI4101DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |