SI4483ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 32.18 грн |
| 5000+ | 29.51 грн |
| 12500+ | 28.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4483ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4483ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.2 A, 0.0127 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.9W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm.
Інші пропозиції SI4483ADY-T1-GE3 за ціною від 30.89 грн до 109.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4483ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4483ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.2 A, 0.0127 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.9W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm |
на замовлення 31101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4483ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -15.4A Power dissipation: 3.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 8.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4483ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 5.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V |
на замовлення 26504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4483ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4483ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.2 A, 0.0127 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.9W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm |
на замовлення 31101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4483ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8 |
на замовлення 36664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4483ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -15.4A Power dissipation: 3.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 8.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2087 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SI4483ADY-T1-GE3 Код товару: 185572 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
 |
SI4483ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SI4483ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |