SI4800BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 57.87 грн |
| 10+ | 48.58 грн |
| 100+ | 33.65 грн |
| 500+ | 26.39 грн |
| 1000+ | 22.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4800BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V.
Інші пропозиції SI4800BDY-T1-GE3 за ціною від 20.01 грн до 59.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4800BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V |
на замовлення 12422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4800BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SI4800BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI4800BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 9A; Idm: 40A; 2.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SI4800BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI4800BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 9A; Idm: 40A; 2.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |