SI4804CDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 8725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 42.31 грн |
| 10+ | 37.52 грн |
| 100+ | 24.57 грн |
| 500+ | 22.19 грн |
| 5000+ | 21.8 грн |
| 10000+ | 20.94 грн |
| 25000+ | 20.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4804CDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI4804CDY-T1-GE3 за ціною від 21.51 грн до 47.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4804CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SI4804CDY-T1-GE3 |
|
на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
SI4804CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
SI4804CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
| SI4804CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 23nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 3.1W On-state resistance: 27mΩ Drain current: 8A Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
SI4804CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||
| SI4804CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 23nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 3.1W On-state resistance: 27mΩ Drain current: 8A Drain-source voltage: 30V |
товар відсутній |