на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 36.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4838BDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4838BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 34 A, 0.0021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm.
Інші пропозиції SI4838BDY-T1-GE3 за ціною від 37.91 грн до 121.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4838BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 12V 34A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4838BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 12V 34A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4838BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 34A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V |
на замовлення 1272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4838BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 12V Vds 8V Vgs SO-8 |
на замовлення 4208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4838BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4838BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 34 A, 0.0021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 5.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm |
на замовлення 1891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4838BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 12V 34A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI4838BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 34A; Idm: 70A; 5.7W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 12V Drain current: 34A On-state resistance: 4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 84nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SI4838BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 34A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI4838BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 34A; Idm: 70A; 5.7W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 12V Drain current: 34A On-state resistance: 4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 84nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Case: SO8 |
товар відсутній |